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机构
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2009 [1]
学科主题
光电子学 [1]
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浏览/检索结果:
共1条,第1-1条
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发表日期:2009
学科主题:光电子学
专题:半导体研究所
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Strain-induced anodization of SiGe/Si multiple layers to form high density SiGe/Si heterogeneous nanorods
期刊论文
OAI收割
solid state communications, 2009, 卷号: 149, 期号: 43-44, 页码: 1897-1901
Zhou B
;
Pan SW
;
Chen R
;
Chen SY
;
Li C
;
Lai HK
;
Yu
;
JZ
;
Zhu XF
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提交时间:2010/04/04
Strain-induced
Electrochemical anodization
Silicon germanium
Heterogeneous nanostructures
POROUS SILICON LAYER
VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE
SURFACE-MORPHOLOGY
THIN-FILMS
SI
GERMANIUM
SUPERLATTICES
NANOCRYSTALS
RELAXATION
GROWTH