中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2009 [3]
学科主题
半导体材料 [3]
筛选
浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
帮助
限定条件
发表日期:2009
学科主题:半导体材料
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Epitaxial Growth of AlInGaN Quaternary Alloys by RF-MBE
期刊论文
OAI收割
journal of inorganic materials, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562
Wang BZ
;
Wang XL
收藏
  |  
浏览/下载:53/0
  |  
提交时间:2010/03/08
AlInGaN
RF-MBE
structural properties
optical properties
Growth behavior of AlInGaN films
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 3, 页码: 474-477
Shang JZ
;
Zhang BP
;
Mao MH
;
Cai LE
;
Zhang JY
;
Fang ZL
;
Liu BL
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Kusakabe K
;
Ohkawa K
收藏
  |  
浏览/下载:216/66
  |  
提交时间:2010/03/08
Scanning electron microscope
Strain
X-ray diffraction
AlInGaN
射频分子束外延生长AlInGaN四元合金
期刊论文
OAI收割
无机材料学报, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562
作者:
王保柱
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2010/11/23