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  • 半导体研究所 [2]
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  • 2009 [2]
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Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长 期刊论文  OAI收割
材料科学与工程学报, 2009, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 118-120
作者:  
薛海韵;  成步文;  薛春来
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厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响 期刊论文  OAI收割
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420
作者:  
刘斌;  陈涌海
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2010/11/23