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机构
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2011 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
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浏览/检索结果:
共1条,第1-1条
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限定条件
发表日期:2011
专题:半导体研究所
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Strain-induced anticrossing of bright exciton levels in single self-assembled GaAs/AlxGa1-xAs and InxGa1-xAs/GaAs quantum dots
期刊论文
OAI收割
physical review b, 2011, 卷号: 83, 期号: 12, 页码: article no.121302
Plumhof JD
;
Krapek V
;
Ding F
;
Jons KD
;
Hafenbrak R
;
Klenovsky P
;
Herklotz A
;
Dorr K
;
Michler P
;
Rastelli A
;
Schmidt OG
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浏览/下载:64/2
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提交时间:2011/07/05
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