机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• iSwitch采集 [2]
• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2011 [4]

学科主题

• 光电子学 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2011    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effect of transverse electric field on helical edge states in a quantum spin-hall system 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 22, 页码: 3 作者:  Liu, Genhua;  Zhou, Guanghui;  Chen, Yong-Hai 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Cadmium compounds  Ii-vi semiconductors  Mercury compounds  Quantum hall effect  Semiconductor quantum wells  Spin hall effect  Wide band gap semiconductors   Stability of the positively charged manganese centre in gaas heterostructures examined theoretically by the effective mass approximation calculation near the gamma critical point 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 8 作者:  Wang Li-Guo;  Shen Chao;  Zheng Hou-Zhi;  Zhu Hui;  Zhao Jian-Hua 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Charged acceptor centre  Screening effect  Exchange interaction   Optical properties of the crescent and coherent applications 期刊论文  OAI收割 optics express, 2011, 卷号: 19, 期号: 9, 页码: 8303-8311 作者:  Jiang B;  Yan XY 收藏  |  浏览/下载：62/7  |  提交时间：2011/07/06 ENHANCED RAMAN-SCATTERING  GOLD NANOPARTICLES  RESONANCE  SPECTROSCOPY  NANOCAVITIES   Stability of the positively charged manganese centre in GaAs heterostructures examined theoretically by the effective mass approximation calculation near the Gamma critical point 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, CHINESE PHYSICS B, 2011, 2011, 卷号: 20, 20, 期号: 10, 页码: 100301, 100301 作者:  Wang, LG;  Shen, C;  Zheng, HZ;  Zhu, H;  Zhao, JH   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/01/06 charged acceptor centre  screening effect  exchange interaction  SHALLOW ACCEPTOR STATES  GALLIUM-ARSENIDE  SEMICONDUCTORS  FIELD  Charged Acceptor Centre  Screening Effect  Exchange Interaction  Shallow Acceptor States  Gallium-arsenide  Semiconductors  Field