机构

• 力学研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2020 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2020    专题：力学研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Simulations of dislocation density in silicon carbide crystals grown by the PVT-method 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 6 作者:  Chen QS(陈启生);  Zhu P(朱鹏);  He M(何蒙)   |  收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2020/03/11 Computer simulation  Defects  Heat transfer  Stresses  Growth from vapor  Semiconducting silicon compounds