机构

• 金属研究所 [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2020 [6]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2020    专题：金属研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effect of Hydrostatic Pressure on LPSO Kinking and Microstructure Evolution of Mg-11Gd-4Y-2Zn-0.5Zr Alloy 期刊论文  OAI收割 ACTA METALLURGICA SINICA-ENGLISH LETTERS, 2020, 页码: 17 作者:  Zheng, Ce;  Chen, Shuai-Feng;  Wang, Rui-Xue;  Zhang, Shi-Hong;  Cheng, Ming   |  收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2021/02/02 Magnesium alloy  Hydrostatic pressure  Long period stacking ordered (LPSO) phase  Kinking  Dynamic recrystallization   Effect of Hydrostatic Pressure on LPSO Kinking and Microstructure Evolution of Mg-11Gd-4Y-2Zn-0.5Zr Alloy 期刊论文  OAI收割 ACTA METALLURGICA SINICA-ENGLISH LETTERS, 2020, 页码: 17 作者:  Zheng, Ce;  Chen, Shuai-Feng;  Wang, Rui-Xue;  Zhang, Shi-Hong;  Cheng, Ming   |  收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2021/02/02 Magnesium alloy  Hydrostatic pressure  Long period stacking ordered (LPSO) phase  Kinking  Dynamic recrystallization   Scaling law for strain dependence of Raman spectra in transition-metal dichalcogenides 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF RAMAN SPECTROSCOPY, 2020, 卷号: 51, 期号: 8, 页码: 9 作者:  Zhang, Ye;  Guo, Huaihong;  Sun, Wei;  Sun, Hongzhi;  Ali, Sajjad   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2021/02/02 intensity dip  Raman intensity  scaling  strain effect  TMDC   Scaling law for strain dependence of Raman spectra in transition-metal dichalcogenides 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF RAMAN SPECTROSCOPY, 2020, 页码: 9 作者:  Zhang, Ye;  Guo, Huaihong;  Sun, Wei;  Sun, Hongzhi;  Ali, Sajjad   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2021/02/02 intensity dip  Raman intensity  scaling  strain effect  TMDC   Metal–insulator transition in few-layered GaTe transistors 期刊论文  OAI收割 半导体学报:英文版, 2020, 卷号: 41.0, 期号: 007, 页码: 28-32 作者:  Xiuxin Xia;  Xiaoxi Li;  Hanwen Wang   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2021/02/02 metal-insulator  transition  gate  tunable  GaTe  field  effect  transistors   Metal–insulator transition in few-layered GaTe transistors 期刊论文  OAI收割 半导体学报:英文版, 2020, 卷号: 41.0, 期号: 007, 页码: 28-32 作者:  Xiuxin Xia;  Xiaoxi Li;  Hanwen Wang   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2021/02/02 metal-insulator  transition  gate  tunable  GaTe  field  effect  transistors