机构

• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 1996 [1]

学科主题

• 半导体器件 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 学科主题：半导体器件    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Microscopic analysis of defects in a high resistivity silicon detector irradiated to 1.7x10(15)n/cm(2) 期刊论文  OAI收割 ieee transactions on nuclear science, 1996, 卷号: 43, 期号: 3, 页码: 1590-1598 Li Z; Ghislotti G; Kraner HW; Li CJ; Nielsen B; Feick H; Lindstroem G 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/17 RADIATION-DAMAGE  JUNCTION