机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2006 [1]
• 2005 [1]
• 2001 [1]
• 1992 [1]

学科主题

• 半导体材料 [4]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    内容类型：期刊论文     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Temperature and power-density-dependent inter-shell energy states in InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of luminescence, 2006, 卷号: 119, 期号: 0, 页码: 183-187 作者:  Jin P 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/04/11 quantum dots  exciton  photoluminescence   Observation of intershell and hybridized energy states in InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 9, 页码: art.no.093104 作者:  Jin P 收藏  |  浏览/下载：118/24  |  提交时间：2010/03/17 OPTICAL-PROPERTIES   Competition between band gap and yellow luminescence in undoped GaN grown by MOVPE on sapphire substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 222, 期号: 1-2, 页码: 96-103 Xu HZ; Bell A; Wang ZG; Okada Y; Kawabe M; Harrison I; Foxon CT 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 gallium nitride  metalorganic vapor-phase epitaxy  photoluminescence  yellow luminescence  N-TYPE GAN  PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY  THIN-FILMS  DOPED GAN  DEEP LEVELS  ORIGIN  PHOTOLUMINESCENCE  DEPENDENCE  VACANCIES  EPITAXY   THE ADSORPTION OF O2 ON FESI SURFACES 期刊论文  OAI收割 surface science, 1992, 卷号: 269, 期号: 0, 页码: 1022-1031 HSU CC; DING SA; MA MS; WU JX; LIU XM; JI MR 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/15 METAL-SILICIDES  OXIDATION  OXYGEN  GROWTH  TRACER  EELS  XPS