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半导体研究所 [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
期刊论文 [3]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [1]
2007 [1]
2006 [2]
学科主题
半导体材料 [4]
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浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
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限定条件
学科主题:半导体材料
条数/页:
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Electrical transport properties of the Si-doped cubic boron nitride thin films prepared by in situ cosputtering
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 2, 页码: article no.23716
作者:
Yin ZG
;
Zhang XW
;
Tan HR
;
Fan YM
;
Zhang SG
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浏览/下载:42/3
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提交时间:2011/07/05
HIGH-PRESSURE SYNTHESIS
VAPOR-DEPOSITION
NUCLEATION
EMISSION
DIAMOND
GROWTH
Effect of growth conditions on the GaN thin film by sputtering deposition
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 299, 期号: 2, 页码: 268-271
Zhang CG
;
Bian LF
;
Chen WD
;
Hsu CC
收藏
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/03/29
phase equilibria
P-doped p-type ZnO films deposited on Si substrate by radio-frequency magnetron sputtering
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 15, 页码: art.no.152102
作者:
Yin ZG
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/04/11
The difference of Si doping efficiency in GaN and AlGaN in GaN-based HBT structure
会议论文
OAI收割
32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005
Ran, JX
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Li, JP
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Zeng, YP
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:167/71
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提交时间:2010/03/29
ALN
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