机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2010 [1]
• 2003 [1]
• 2000 [1]

学科主题

• 半导体物理 [3]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Codoping of magnesium with oxygen in gallium nitride nanowires 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 2010, 卷号: 96, 96, 期号: 10, 页码: art. no. 103112, Art. No. 103112 作者:  Wang ZG (Wang Zhiguo);  Li JB (Li Jingbo);  Gao F (Gao Fei);  Weber WJ (Weber William J.);  Wang, ZG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: zgwang@uestc.edu.cn   |  收藏  |  浏览/下载：30/3  |  提交时间：2010/04/13 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  Molecular-beam Epitaxy   Luminescence study of (11(2)over-bar0) GaN film grown by metalorganic chemical-vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 1, 页码: 316-319 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 MG-DOPED GAN  GALLIUM NITRIDE  PHASE EPITAXY  SUBSTRATE  LAYER   Room-temperature optical transitions in Mg-doped cubic GaN/GaAs(100) grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2000, 卷号: 87, 期号: 4, 页码: 2064-2066 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  GAN FILMS