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西安光学精密机械研究... [9]
采集方式
OAI收割 [9]
内容类型
专利 [9]
发表日期
2018 [1]
2014 [1]
2011 [2]
2006 [1]
2002 [1]
1999 [2]
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共9条,第1-9条
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内容类型:专利
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A METHOD FOR GaN VERTICAL MICROCAVITY SURFACE EMITTING LASER (VCSEL)
专利
OAI收割
专利号: EP3201952A4, 申请日期: 2018-05-23, 公开日期: 2018-05-23
作者:
HAN, JUNG
;
ZHANG, CHENG
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提交时间:2019/12/30
Method of forming p-type gallium nitride based semiconductor, method of forming nitride semiconductor device, and method of forming epitaxial wafer
专利
OAI收割
专利号: US8815621, 申请日期: 2014-08-26, 公开日期: 2014-08-26
作者:
UENO, MASAKI
;
YOSHIZUMI, YUSUKE
;
NAKAMURA, TAKAO
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提交时间:2019/12/24
Phosphor-converted LED devices having improved light distribution uniformity
专利
OAI收割
专利号: GB2466892B, 申请日期: 2011-02-23, 公开日期: 2011-02-23
作者:
SU LIN OON
;
HONG HUAT YEOH
;
SIEW IT PANG
;
MENG EE LEE
;
KIAN SHIN LEE
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提交时间:2019/12/24
Phosphor-converted LED devices having improved light distribution uniformity
专利
OAI收割
专利号: GB2466892B, 申请日期: 2011-02-23, 公开日期: 2011-02-23
作者:
SU LIN OON
;
HONG HUAT YEOH
;
SIEW IT PANG
;
MENG EE LEE
;
KIAN SHIN LEE
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提交时间:2019/12/24
Production method of III nitride compound semiconductor and III nitride compound semiconductor element
专利
OAI收割
专利号: US7141444, 申请日期: 2006-11-28, 公开日期: 2006-11-28
作者:
KOIKE, MASAYOSHI
;
TEZEN, YUTA
;
YAMASHITA, HIROSHI
;
NAGAI, SEIJI
;
HIRAMATSU, TOSHIO
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提交时间:2019/12/24
Gallium nitride semiconductor device
专利
OAI收割
专利号: CA2444273A1, 申请日期: 2002-10-24, 公开日期: 2002-10-24
作者:
KAWAGOE, KIMIHIRO
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor device and method of manufacturing the same
专利
OAI收割
专利号: US5900650, 申请日期: 1999-05-04, 公开日期: 1999-05-04
作者:
NITTA, KOICHI
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提交时间:2019/12/24
Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device
专利
OAI收割
专利号: US5880486, 申请日期: 1999-03-09, 公开日期: 1999-03-09
作者:
NAKAMURA, SHUJI
;
MUKAI, TAKASHI
;
IWASA, NARUHITO
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提交时间:2019/12/24
Process for the fabrication of light-emitting semiconductor diodes
专利
OAI收割
专利号: GB1300067A, 申请日期: 1972-12-20, 公开日期: 1972-12-20
作者:
GEORGE, ARTHUR, HENDERSON
;
GARY, EDMOND, PITTMAN
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提交时间:2019/12/24