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A METHOD FOR GaN VERTICAL MICROCAVITY SURFACE EMITTING LASER (VCSEL) 专利  OAI收割
专利号: EP3201952A4, 申请日期: 2018-05-23, 公开日期: 2018-05-23
作者:  
HAN, JUNG;  ZHANG, CHENG
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Method of forming p-type gallium nitride based semiconductor, method of forming nitride semiconductor device, and method of forming epitaxial wafer 专利  OAI收割
专利号: US8815621, 申请日期: 2014-08-26, 公开日期: 2014-08-26
作者:  
UENO, MASAKI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  NAKAMURA, TAKAO
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/24
Phosphor-converted LED devices having improved light distribution uniformity 专利  OAI收割
专利号: GB2466892B, 申请日期: 2011-02-23, 公开日期: 2011-02-23
作者:  
SU LIN OON;  HONG HUAT YEOH;  SIEW IT PANG;  MENG EE LEE;  KIAN SHIN LEE
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Phosphor-converted LED devices having improved light distribution uniformity 专利  OAI收割
专利号: GB2466892B, 申请日期: 2011-02-23, 公开日期: 2011-02-23
作者:  
SU LIN OON;  HONG HUAT YEOH;  SIEW IT PANG;  MENG EE LEE;  KIAN SHIN LEE
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/24
Production method of III nitride compound semiconductor and III nitride compound semiconductor element 专利  OAI收割
专利号: US7141444, 申请日期: 2006-11-28, 公开日期: 2006-11-28
作者:  
KOIKE, MASAYOSHI;  TEZEN, YUTA;  YAMASHITA, HIROSHI;  NAGAI, SEIJI;  HIRAMATSU, TOSHIO
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Gallium nitride semiconductor device 专利  OAI收割
专利号: CA2444273A1, 申请日期: 2002-10-24, 公开日期: 2002-10-24
作者:  
KAWAGOE, KIMIHIRO
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Semiconductor device and method of manufacturing the same 专利  OAI收割
专利号: US5900650, 申请日期: 1999-05-04, 公开日期: 1999-05-04
作者:  
NITTA, KOICHI
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Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device 专利  OAI收割
专利号: US5880486, 申请日期: 1999-03-09, 公开日期: 1999-03-09
作者:  
NAKAMURA, SHUJI;  MUKAI, TAKASHI;  IWASA, NARUHITO
  |  收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/12/24
Process for the fabrication of light-emitting semiconductor diodes 专利  OAI收割
专利号: GB1300067A, 申请日期: 1972-12-20, 公开日期: 1972-12-20
作者:  
GEORGE, ARTHUR, HENDERSON;  GARY, EDMOND, PITTMAN
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