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Thin film and substrate-removed group III-nitride based devices and method 专利  OAI收割
专利号: US10249786, 申请日期: 2019-04-02, 公开日期: 2019-04-02
作者:  BATRES, MAX;  YANG, ZHIHONG;  WUNDERER, THOMAS
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一种基于超声AFM的纳米薄膜厚度检测装置及其方法 专利  OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: CN107192857A, 申请日期: 2017-09-22,
作者:  刘连庆;  李广勇;  于鹏;  施佳林
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Thin-film large-area coherent light source, filter and amplifier apparatus and method 专利  OAI收割
专利号: US7242702, 申请日期: 2007-07-10, 公开日期: 2007-07-10
作者:  KOPP, VICTOR IL'ICH;  ZHANG, ZHAO-QING;  GENACK, AZRIEL ZELIG
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Thermally efficient semiconductor laser structure and method of forming same 专利  OAI收割
专利号: US20070085081A1, 申请日期: 2007-04-19, 公开日期: 2007-04-19
作者:  CHOA, FOW-SEN
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Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same 专利  OAI收割
专利号: EP1039596B1, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2006-05-31
作者:  KURAMACHI, TERUHIKO, C/O FUJI PHOTO FILM CO., LTD.
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Monolithic thin-film thermoelectric device including complementary thermoelectric materials 专利  OAI收割
专利号: WO2005071765A1, 申请日期: 2005-08-04, 公开日期: 2005-08-04
作者:  GHOSHAL, UTTAM;  SAMAVEDAM, SRIKANTH;  NGAI, TAT;  MINER, ANDREW CARL
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Monolithic thin-film thermoelectric device including complementary thermoelectric materials 专利  OAI收割
专利号: WO2005071765A1, 申请日期: 2005-08-04, 公开日期: 2005-08-04
作者:  GHOSHAL, UTTAM
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Method for forming a monolithic thin-film thermoelectric device including complementary thermoelectric materials 专利  OAI收割
专利号: US20050150536A1, 申请日期: 2005-07-14, 公开日期: 2005-07-14
作者:  NGAI, TAT;  SAMAVEDAM, SRIKANTH B.;  GHOSHAL, UTTAM
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Method for forming a monolithic thin-film thermoelectric device including complementary thermoelectric materials 专利  OAI收割
专利号: US20050150536A1, 申请日期: 2005-07-14, 公开日期: 2005-07-14
作者:  NGAI, TAT;  SAMAVEDAM, SRIKANTH B.;  GHOSHAL, UTTAM
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/30
Method for forming a thin-film thermoelectric device including a phonon-blocking thermal conductor 专利  OAI收割
专利号: US20050150535A1, 申请日期: 2005-07-14, 公开日期: 2005-07-14
作者:  SAMAVEDAM, SRIKANTH B.;  GHOSHAL, UTTAM;  NGAI, TAT
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