机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 会议论文 [3]

发表日期

• 2003 [1]
• 2002 [1]
• 2000 [1]

学科主题

• 半导体材料 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth 会议论文  OAI收割 iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002 Zhang ZC; Ren BY; Chen YH; Yang SY; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/11/15 Czochralski method  growth from melt  semiconductor silicon  argon gas flow  computer simulation  oxygen content  FURNACE PRESSURE   Space-grown SI-GaAs and its application 会议论文  OAI收割 12th international semicoducting and insulating materials conference (simc-xii2002), smolenice, slovakia, jun 30-jul 05, 2002 Chen NF; Zhong XG; Zhang M; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/10/29 SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  FLOATING-ZONE GROWTH  CRYSTAL-GROWTH  ZERO GRAVITY  MICROGRAVITY  SEGREGATION  STOICHIOMETRY  SILICON  DEFECTS  INSB   Residual donors in undoped LEC InP 会议论文  OAI收割 11th international semiconducting and insulating materials conference (simc-xi), canberra, australia, jul 03-07, 2000 Zhao YW; Sun NF; Sun TN; Lin LY; Wu XW; Guo WL; Wu X; Bi KY 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/10/29 INDIUM-PHOSPHIDE  CARBON  DEFECTS  GROWTH