中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
机构
  • 苏州纳米技术与纳米仿... [3]
采集方式
内容类型
  • 期刊论文 [3]
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共3条,第1-3条 帮助

限定条件                    
条数/页: 排序方式:
Unintentional incorporation of Ga in the nominal AlN spacer of AlInGaN/AlN/GaN Heterostructure 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2018
作者:  
Dai, Shujun(戴淑君);  Gao, Hongwei(高宏伟);  Zhou, Yu(周宇);  Zhong, Yaozong;  Wang, Jin
  |  收藏  |  浏览/下载:60/0  |  提交时间:2019/03/27
Utilization of polarization-inverted AlInGaN or relatively thinner AlGaN electron blocking layer in InGaN-based blue-violet laser diodes 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2015, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 5
作者:  
Le, LC;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2015/12/31
Confinement factor and absorption loss of AlInGaN based laser diodes emitting from ultraviolet to green 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 105, 期号: 2
作者:  
Zhang LQ;  Yang H(杨辉);  Zhang LQ;  Zhang SM
收藏  |  浏览/下载:24/0  |  提交时间:2010/01/15