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半导体研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2001 [1]
2000 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
半导体物理 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
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限定条件
内容类型:期刊论文
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
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Carbonization process of Si(100) by ion-beam bombardment
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 3, 页码: 446-450
Liao MY
;
Chai CL
;
Yao ZY
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Wang ZG
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提交时间:2010/08/12
diffusion
growth models
ion bombardment
reflection high energy electron diffraction
physical vapor phase deposition
semiconducting silicon compounds
CUBIC GAN
GROWTH
DEPOSITION
EPITAXY
SILICON
DIAMOND
Carbon film deposited by mass-selected low energy ion beam technique and ion bombardment effect
期刊论文
OAI收割
acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2186-2190
Liao MY
;
Zhang JH
;
Qin FG
;
Liu ZK
;
Yang SY
;
Wang ZG
;
Lee ST
收藏
  |  
浏览/下载:51/0
  |  
提交时间:2010/08/12
amorphous carbon
ion bombardment
mass-selected low energy ion beam
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
BIAS-ENHANCED NUCLEATION
DIAMOND FILMS
RAMAN-SCATTERING
GROWTH
SILICON
MECHANISM