机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• iSwitch采集 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2000 [3]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    发表日期：2000     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The improvement characteristics of homoepitaxial gaas grown by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 191-193 作者:  Wang, HL;  Zhu, HJ;  Ning, D;  Wang, H;  Wang, XD 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy  Deep level transient spectroscopy  Deep level defects   Photoluminescence study of inas/gaas self-organized quantum dots with bimodal size distribution 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics, 2000, 卷号: 9, 期号: 5, 页码: 384-388 作者:  Guo, ZS;  Wang, HL;  Ning, D;  Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Proof of inas/gaas self-organized quantum dot lasing and the experimental determination of local strain effect on the band structures 期刊论文  iSwitch采集 Compound semiconductors 1999, 2000, 期号: 166, 页码: 251-256 作者:  Wang, H;  Wang, HL;  Feng, SL;  Zhu, HJ;  Wang, XD 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12