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• 半导体研究所 [3]

采集方式

• iSwitch采集 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2009 [3]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    发表日期：2009    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Structural and magnetic properties of sm implanted gan 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 3 作者:  Jiang Li-Juan 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Temperature insensitivity of optical properties of inas/gaas quantum dots due to a pregrown ingaas quantum well 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 3 作者:  Liang Zhi-Mei;  Jin Can;  Jin Peng;  Wu Ju;  Wang Zhan-Guo 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Properties of alyga1-yn/alxga1-xn/aln/gan double-barrier high electron mobility transistor structure 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 4 作者:  Guo Lun-Chun;  Wang Xiao-Liang;  Xiao Hong-Ling;  Ran Jun-Xue;  Wang Cui-Mei 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12