机构

• 半导体研究所 [7]

采集方式

• iSwitch采集 [7]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2009 [1]
• 2008 [2]
• 2001 [3]
• 2000 [1]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Fabry-perot microcavity modes observed in the micro-photoluminescence spectra of the single nanowire with ingaas/gaas heterostructure 期刊论文  iSwitch采集 Optics express, 2009, 卷号: 17, 期号: 11, 页码: 9337-9346 作者:  Yang, Lin;  Motohisa, Junichi;  Fukui, Takashi;  Jia, Lian Xi;  Zhang, Lei 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Influence of aln buffer thickness on gan grown on si(111) by gas source molecular beam epitaxy with ammonia 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4097-4100 作者:  Lin Guo-Qiang;  Zeng Yi-Ping;  Wang Xiao-Liang;  Liu Hong-Xin 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Design and fabrication of polarization-independent micro-ring resonators 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 1333-1335 作者:  Geng Min-Ming;  Jia Lian-Xi;  Zhang Lei;  Liu Yu-Liang;  Yang Lin 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 X-ray diffraction determination of the fractions of hexagonal and twinned phases in cubic gan layers grown on (001)gaas substrate 期刊论文  iSwitch采集 Thin solid films, 2001, 卷号: 392, 期号: 1, 页码: 29-33 作者:  Qu, B;  Zheng, XH;  Wang, YT 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Gallium nitride  X-ray diffraction   Polarity dependence of hexagonal inclusions and cubic twins in gan/gaas(001) epilayers measured by conventional x-ray pole figure and grazing incident diffraction pole figure 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 226, 期号: 1, 页码: 57-61 作者:  Qu, B;  Zheng, XH;  Wang, YT;  Lin, SM;  Yang, H 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Characterization  Defects  X-ray diffraction  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting iii-v materials   Multiplicity factor and diffraction geometry factor for single crystal x-ray diffraction analysis and measurement of phase content in cubic gan/gaas(001) epilayers 期刊论文  iSwitch采集 Science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 4, 页码: 497-503 作者:  Qu, B;  Zheng, XH;  Wang, YT;  Feng, ZH;  Han, JY 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Four-circle diffraction  Gan  Phase content   Structural and optical properties of self-assembled inas/gaas quantum dots covered by inxga1-xas (0 <= x <= 0.3) 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: 3392-3395 作者:  Liu, HY;  Wang, XD;  Wu, J;  Xu, B;  Wei, YQ 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12