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机构
半导体研究所 [4]
采集方式
iSwitch采集 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2010 [3]
2000 [1]
学科主题
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浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
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存缴方式:iswitch
专题:半导体研究所
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Synthesies and properties of tb-doped gan nanowires
期刊论文
iSwitch采集
Inorganic materials, 2010, 卷号: 46, 期号: 10, 页码: 1096-1099
作者:
Cao, Y. P.
;
Shi, F.
;
Xiu, X. W.
;
Sun, H. B.
;
Guo, Y. F.
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提交时间:2019/05/12
Growth and properties of dy-doped gan nanowires
期刊论文
iSwitch采集
European physical journal-applied physics, 2010, 卷号: 50, 期号: 1, 页码: 5
作者:
Cao, Y. P.
;
Shi, F.
;
Sun, H. B.
;
Liu, W. J.
;
Guo, Y. F.
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Fabrication of gan nanowires on pd-coated sapphire substrates by magnetron sputtering technique
期刊论文
iSwitch采集
Materials characterization, 2010, 卷号: 61, 期号: 4, 页码: 381-385
作者:
Guo, Y. F.
;
Xue, C. S.
;
Liu, W. J.
;
Sun, H. B.
;
Cao, Y. P.
收藏
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提交时间:2019/05/12
Nanowires
Semiconductor
Sputtering
Photoluminescence
2.0-mev er+ implanted in silicon: depth distribution, damage profile and annealing behaviour
期刊论文
iSwitch采集
Applied physics a-materials science & processing, 2000, 卷号: 71, 期号: 6, 页码: 689-693
作者:
Li, Y
;
Tan, C
;
Xia, Y
;
Zhang, J
;
Xue, C
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提交时间:2019/05/12