机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2010 [1]
• 2008 [1]

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Observation of n-shaped negative differential resistance in gaas-based modulation-doped field effect transistor with inas quantum dots 期刊论文  iSwitch采集 Japanese journal of applied physics, 2010, 卷号: 49, 期号: 10, 页码: 5 作者:  Li, Yueqiang;  Wang, Xiaodong;  Xu, Xiaona;  Liu, Wen;  Chen, Yanling 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth and fabrication of algan/gan hemt based on si(111) substrates by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1108-1111 作者:  Luo, Weijun;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimie;  Ran, Junxue 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/gan  High electron mobility transistor (hemt)  Si (111)