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半导体研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [2]
会议论文 [1]
发表日期
2001 [3]
学科主题
半导体材料 [2]
半导体物理 [1]
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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限定条件
存缴方式:oaiharvest
发表日期:2001
专题:半导体研究所
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第一作者单位
通讯作者单位
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The keys to get high transconductance of AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs devices
期刊论文
OAI收割
solid-state electronics, 2001, 卷号: 45, 期号: 5, 页码: 751-754
Cao X
;
Zeng YP
;
Kong MY
;
Pan L
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
收藏
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浏览/下载:102/6
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提交时间:2010/08/12
molecular beam epitaxy
pseudomorphic HEMTs
photoluminescence
High-quality metamorphic HEMT grown on GaAs substrates by MBE
会议论文
OAI收割
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Zeng YP
;
Cao X
;
Cui LJ
;
Kong MY
;
Pan L
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/15
molecular beam epitaxy
high electron mobility transistors
DENSITY
High-quality metamorphic HEMT grown on GaAs substrates by MBE
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 210-213
Zeng YP
;
Cao X
;
Cui LJ
;
Kong MY
;
Pan L
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
收藏
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提交时间:2010/08/12
molecular beam epitaxy
high electron mobility transistors
DENSITY