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  • 2000 [5]
学科主题
  • 半导体材料 [5]
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The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割
thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 237-240
Sun XL; Wang YY; Yang H; Li JB; Zheng LX; Xu DP; Wang ZG
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Temperature quenching mechanisms for photoluminescence of MBE-grown chlorine-doped ZnSe epilayers 期刊论文  OAI收割
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 548-553
Wang SZ; Xie SW; Pang QJ; Zheng H; Xia YX; Ji RB; Wu Y; He L; Zhu ZM; Li GH; Wang ZP
收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12
Investigation on the origin of wurtzite domains in thick cubic GaN using reactive ion etching 期刊论文  OAI收割
thin solid films, 2000, 卷号: 372, 期号: 1-2, 页码: 25-29
作者:  Zhao DG;  Zhang SM
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The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 会议论文  OAI收割
1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999
Sun XL; Wang YY; Yang H; Li JB; Zheng LX; Xu DP; Wang ZG
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15
Effect of buffer layer growth conditions on the secondary hexagonal phase content in cubic GaN films on GaAs(001) substrates 期刊论文  OAI收割
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 3-4, 页码: 397-401
作者:  Zhao DG
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