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机构
微电子研究所 [1]
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2004 [2]
学科主题
半导体材料 [1]
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浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
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限定条件
发表日期:2004
条数/页:
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RF—MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 121-125
作者:
王晓亮
;
胡国新
;
王军喜
;
刘新宇
;
刘键
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提交时间:2010/05/26
高电子迁移率晶体管
氮化镓
场效应晶体管
Rf—mbe
Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 121-125
Wang Xiaoliang
;
Hu Guoxin
;
Wang Junxi
;
Liu Xinyu
;
Liu Hongxin
;
Sun Dianzhao
;
Zeng Yiping
;
Qian He
;
Li Jinmin
;
Kong Meiying
;
Lin Lanying
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提交时间:2010/11/23