机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2006 [4]

学科主题

• 光电子学 [4]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2006    学科主题：光电子学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Self-organized hexagonal ordering of quantum dot arrays 期刊论文  OAI收割 nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 23, 页码: 5765-5768 Ma WQ (Ma W. Q.); Sun YW (Sun Y. W.); Yang XJ (Yang X. J.); Jiang DS (Jiang D. S.); Chen LH (Chen L. H.) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/04/11 SURFACE  GROWTH  SUPERLATTICES  ISLANDS   Effects of grain size on the mosaic tilt and twist in InN films grown on GaN by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 9, 页码: art.no.092114 Wang H (Wang H.); Huang Y (Huang Y.); Sun Q (Sun Q.); Chen J (Chen J.); Wang LL (Wang L. L.); Zhu JJ (Zhu J. J.); Zhao DG (Zhao D. G.); Zhang SM (Zhang S. M.); Jiang DS (Jiang D. S.); Wang YT (Wang Y. T.); Yang H (Yang H.) 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/04/11 X-RAY-DIFFRACTION  ELECTRON-TRANSPORT  EPITAXIAL GAN  BAND-GAP  DISLOCATIONS  SAPPHIRE  ALN   Spatial distribution of deep level defects in crack-free AlGaN grown on GaN with a high-temperature AlN interlayer 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: art.no.123101 Sun, Q (Sun, Q.); Wang, H (Wang, H.); Jiang, DS (Jiang, D. S.); Jin, RQ (Jin, R. Q.); Huang, Y (Huang, Y.); Zhang, SM (Zhang, S. M.); Yang, H (Yang, H.); Jahn, U (Jahn, U.); Ploog, KH (Ploog, K. H.) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/03/29 LIGHT-EMITTING-DIODES   Evolution of mosaic structure in InN grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 269-272 Huang Y (Huang Y.); Wang H (Wang H.); Sun Q (Sun Q.); Chen J (Chen J.); Li DY (Li D. Y.); Zhang JC (Zhang J. C.); Wang JF (Wang J. F.); Wang YT (Wang Y. T.); Yang H (Yang H.) 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/04/11 growth mode  X-ray diffraction  metalorganic chemical vapor deposition  indium nitride  X-RAY-DIFFRACTION  THREADING DISLOCATIONS  ELECTRON-TRANSPORT  BUFFER LAYER  THIN-FILMS  GAN FILMS  SAPPHIRE  ALN