中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
  • 2009 [6]
学科主题
  • 光电子学 [6]
筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助

限定条件        
条数/页： 排序方式：
Stable multiplication gain in GaN p-i-n avalanche photodiodes with large device area 期刊论文  OAI收割
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: art. no. 015108
作者:  Wang H;  Zhao DG;  Zhang SM;  Yang H;  Yang H
收藏  |  浏览/下载：169/40  |  提交时间：2010/03/08
Thickness dependent dislocation, electrical and optical properties in InN films grown by MOCVD 期刊论文  OAI收割
acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420
作者:  Li Y;  Chen P;  Jiang DS;  Wang H;  Wang ZG
收藏  |  浏览/下载：49/4  |  提交时间：2010/03/08
GaN-based violet laser diodes grown on free-standing GaN substrate 期刊论文  OAI收割
chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 12, 页码: 5350-5353
作者:  Wang H;  Zhu JJ;  Yang H;  Yang H;  Jiang DS
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/04/05
Kinetically controlled InN nucleation on GaN templates by metalorganic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 14, 页码: art. no. 145410
作者:  Zhang SM;  Yang H;  Yang H;  Wang YT;  Zhu JJ
收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2010/03/08
The influence of growth temperature and input V/III ratio on the initial nucleation and material properties of InN on GaN by MOCVD 期刊论文  OAI收割
semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: art. no. 055001
作者:  Yang H;  Jiang DS;  Zhao DG;  Zhang SM;  Yang H
收藏  |  浏览/下载：89/41  |  提交时间：2010/03/08
Suppression of indium droplet formation by adding CCl4 during metalorganic chemical vapor deposition growth of InN films 期刊论文  OAI收割
semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: art. no. 075004
作者:  Wang H;  Yang H;  Yang H;  Zhao DG;  Wang YT
收藏  |  浏览/下载：47/1  |  提交时间：2010/03/08