机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• iSwitch采集 [2]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2009 [3]

学科主题

• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2009    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 High-speed 2 x 2 silicon-based electro-optic switch with nanosecond switch time 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 3900-3904 作者:  Xu Xue-Jun;  Chen Shao-Wu;  Xu Hai-Hua 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Silicon-on-insulator  Electro-optic switch  Plasma dispersion effect  Switch time   Zero biased ge-on-si photodetector with a bandwidth of 4.72 ghz at 1550 nm 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 2542-2544 作者:  Xue Hai-Yun;  Xue Chun-Lai;  Cheng Bu-Wen;  Yu Yu-De;  Wang Qi-Ming 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Si-based  Ge  Epitaxy  Photodetector   First-principles investigation of the electronic structure and magnetism of eskolaite 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 2551-2556 Xue Hai-Yun; Xue Chun-Lai; Cheng Bu-Wen; Yu Yu-De; Wang Qi-Ming 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23