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• 半导体研究所 [3]

采集方式

• iSwitch采集 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2011 [3]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2011    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Electronic band structures and electron spins of inas/gaas quantum dots induced by wetting-layer fluctuation 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 5, 页码: 5 作者:  Ning, J. Q.;  Xu, S. J.;  Ruan, X. Z.;  Ji, Yang;  Zheng, H. Z. 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Properties investigation of gan films implanted by sm ions under different implantation and annealing conditions 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 1, 页码: 429-432 作者:  Jiang, L. J.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, Z. G.;  Yang, C. B. 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Ferromagnetic  Implantation  Annealing   High-performance metamorphic ingaas resonant cavity enhanced photodetector grown on gaas substrate 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 20, 页码: 3 作者:  Liu, S. Q.;  Han, Q.;  Zhu, B.;  Yang, X. H.;  Ni, H. Q. 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12