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  • 期刊论文 [2]
发表日期
  • 2013 [2]
学科主题
  • 光电子学 [2]
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Effect of V-defects on the performance deterioration of InGaN_GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes with varying barrier layer thickness 期刊论文  OAI收割
journal of applied physics, Journal of Applied Physics, 2013, 2013, 卷号: 114, 114, 期号: 14, 页码: 143706, 143706
作者:  
Le, L. C.;  Zhao, D. G.;  Jiang, D. S.;  Li, L.;  Wu, L. L.
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High efficient GaN-based laser diodes with tunnel junction 期刊论文  OAI收割
applied physics letters, Applied Physics Letters, 2013, 2013, 卷号: 103, 103, 期号: 4, 页码: 043508, 043508
作者:  
M. X. Feng, J. P. Liu, S. M. Zhang, D. S. Jiang, Z. C. Li, K. Zhou, D. Y. Li, L. Q. Zhang, F. Wang, H. Wang, P. Chen, Z. S. Liu, D. G. Zhao, Q. Sun, H. Yang
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