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半导体研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2013 [2]
学科主题
光电子学 [2]
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浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
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发表日期:2013
学科主题:光电子学
条数/页:
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Effect of V-defects on the performance deterioration of InGaN_GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes with varying barrier layer thickness
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, Journal of Applied Physics, 2013, 2013, 卷号: 114, 114, 期号: 14, 页码: 143706, 143706
作者:
Le, L. C.
;
Zhao, D. G.
;
Jiang, D. S.
;
Li, L.
;
Wu, L. L.
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提交时间:2014/04/09
High efficient GaN-based laser diodes with tunnel junction
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, Applied Physics Letters, 2013, 2013, 卷号: 103, 103, 期号: 4, 页码: 043508, 043508
作者:
M. X. Feng, J. P. Liu, S. M. Zhang, D. S. Jiang, Z. C. Li, K. Zhou, D. Y. Li, L. Q. Zhang, F. Wang, H. Wang, P. Chen, Z. S. Liu, D. G. Zhao, Q. Sun, H. Yang
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提交时间:2014/04/09