机构

• 物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2013 [1]

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2013    内容类型：期刊论文    专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effect of InxGa1-xN "continuously graded" buffer layer on InGaN epilayer grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 10 Qian, WN; Su, SC; Chen, H; Ma, ZG; Zhu, KB; He, M; Lu, PY; Wang, G; Lu, TP; Du, CH; Wang, Q; Wu, WB; Zhang, WW 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2014/01/16 InGaN  reciprocal space map  indium incorporation  surface morphology