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浏览/检索结果: 共843条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Atomic-Scale Insights into the Interfacial Polarization Effect in the InGaN/GaN Heterostructure for Solar Cells 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2022, 页码: 8 作者:  Hao, Xiaodong;  Zhang, Xishuo;  Sun, Benyao;  Yin, Deqiang;  Dong, Hailiang   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2023/05/09 polarization charge effect  built-in electric field  p-n junction  semipolar InGaN  GaN interface  first principles calculation   Growth and properties of Pr3+-doped NaGd(MoO4)2 single crystal: A promising InGaN laser-diode pumped orange-red laser crystal 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF LUMINESCENCE, 2022, 卷号: 249 作者:  Ren, Hao;  Li, Hongyuan;  Zou, Yong;  Deng, Hengyang;  Peng, Ziming   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2022/12/22 Czochralski method  Spectroscopic properties  InGaN laser-diodes  Orange-red lasers  Pr  NaGd(MoO4)2   InGaN厚膜的生长与物性表征 学位论文  OAI收割 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022 作者:  柴若皓   |  收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2022/07/25 Interfacial modulation and plasmonic effect mediated high-brightness green light sources in a single Ga-doped ZnO microwire based heterojunction 期刊论文  OAI收割 Crystengcomm, 2022, 卷号: 24, 期号: 38, 页码: 6642-6653 作者:  X. J. Liu;  M. S. Liu;  R. D. Zhu;  B. H. Li;  P. Wan   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2023/06/14 Anisotropic Strain Relaxation in Semipolar (11(2)over-bar2) InGaN/GaN Superlattice Relaxed Templates 期刊论文  OAI收割 NANOMATERIALS, 2022, 卷号: 12, 期号: 17, 页码: 3007 作者:  Li, Wenlong;  Wang, Lianshan;  Chai, Ruohao;  Wen, Ling;  Wang, Zhen   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2023/11/10 High-concentration Er3+ ion singly doped GaTaO4 single crystal for promising all-solid-state green laser and solid-state lighting applications 期刊论文  OAI收割 CRYSTENGCOMM, 2021 作者:  Ding, Shoujun;  Ren, Hao;  Liu, Wenpeng;  He, Aifeng;  Tang, Xubing   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2022/02/14 Degradation mechanisms of InGaN/GaN UVA LEDs under swift heavy ion irradiation: role of defects 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 36, 期号: 9, 页码: 7 作者:  Wang, Ying-Zhe;  Zheng, Xue-Feng;  Lv, Ling;  Cao, Yan-Rong;  Wang, Xiao-Hu   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2021/12/08 UVA LED  swift heavy ion irradiation  degradation  defect  low frequency noise   Ultra-broad absorption band of a Dy3+-doped Gd3Sc2Al3O12 garnet crystal at around 450 nm: a potential crystal for InGaN LD-pumped all-solid-state yellow lasers 期刊论文  OAI收割 CRYSTENGCOMM, 2021 作者:  Ding, Shoujun   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2021/08/30 基于激光器结构的InGaN材料发光特性和外延机理研究 学位论文  OAI收割 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021 作者:  彭莉媛   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2021/06/17 Regulation of Hole Concentration and Mobility and First-Principle Analysis of Mg-Doping in InGaN Grown by MOCVD 期刊论文  OAI收割 MATERIALS, 2021, 卷号: 14, 期号: 18, 页码: 5339 作者:  Zhang, Lian;   Wang, Rong;   Liu, Zhe;   Cheng, Zhe;   Tong, Xiaodong;   Xu, Jianxing;   Zhang, Shiyong;   Zhang, Yun;   Chen, Fengxiang   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2022/05/19