机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2014 [4]

学科主题

• 半导体材料 [4]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2014    学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 High-Voltage AlGaN/GaN-Based Lateral Schottky Barrier Diodes 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2014, 卷号: 31, 期号: 6, 页码: 068502 Kang, H; Wang, Q; Xiao, HL; Wang, CM; Jiang, LJ; Feng, C; Chen, H; Yin, HB; Wang, XL; Wang, ZG; Hou, X 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/03/25 Two-dimensional electron and hole gases in InxGa1-xN/AlyGa1-yN/GaN heterostructure for enhancement mode operation 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2014, 卷号: 116, 期号: 5, 页码: 054502 Yan, JD; Wang, XL; Wang, Q; Qu, SQ; Xiao, HL; Peng, EC; Kang, H; Wang, CM; Feng, C; Yin, HB; Jiang, LJ; Li, BQ; Wang, ZG; Hou, X 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2015/03/25 Analysis of transconductance characteristic of AlGaN/GaN HEMTs with graded AlGaN layer 期刊论文  OAI收割 european physical journal-applied physics, 2014, 卷号: 66, 期号: 2, 页码: 20101 Qu, SQ; Wang, XL; Xiao, HL; Hou, X; Wang, CM; Jiang, LJ; Feng, C; Chen, H; Yin, HB; Peng, EC; Kang, H; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2015/04/02 Analysis of GaN cap layer effecting on critical voltage for electrical degradation of AlGaN/GaN HEMT 期刊论文  OAI收割 european physical journal-applied physics, 2014, 卷号: 68, 期号: 1, 页码: 10105 Qu, SQ; Wang, XL; Xiao, HL; Wang, CM; Jiang, LJ; Feng, C; Chen, H; Yin, HB; Yan, JD; Peng, EC; Kang, H; Wang, ZG; Hou, X 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/03/20