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微电子研究所 [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
专利 [2]
期刊论文 [2]
发表日期
2014 [4]
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共4条,第1-4条
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发表日期:2014
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Increase of the Reliability of the Junction Terminations of Reverse-Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor by Appropriate Backside Layout Design
期刊论文
OAI收割
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014
作者:
Teng Y(腾渊)
;
Zhang WL(张文亮)
;
Zhu YJ(朱阳军)
;
Lu SJ(卢烁今)
;
Tian XL(田晓丽)
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提交时间:2015/05/06
绝缘栅双极晶体管过流保护电路
专利
OAI收割
专利号: CN203660518U, 申请日期: 2014-06-18,
作者:
马健
;
朱阳军
;
胡少伟
;
卢烁今
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提交时间:2016/09/29
绝缘栅双极晶体管过流保护电路
专利
OAI收割
专利号: CN203660518U, 申请日期: 2014-06-18,
作者:
卢烁今
;
马健
;
朱阳军
;
胡少伟
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提交时间:2015/05/12
The negative differential resistance characteristics of an RC-IGBT and its equivalent circuit model
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2014
作者:
Lu SJ(卢烁今)
;
Tian XL(田晓丽)
;
Zhu YJ(朱阳军)
;
Zhang WL(张文亮)
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提交时间:2015/05/06