中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
长春光学精密机械与物... [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2018 [3]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
帮助
限定条件
发表日期:2018
内容类型:期刊论文
专题:长春光学精密机械与物理研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Effect of V-Pits on the Property of GaN Epilayer Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
OAI收割
Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 7527-7531
作者:
Fu, Y. H.
;
Sun, X. J.
;
Ben, J. W.
;
Jiang, K.
;
Jia, Y. P.
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2019/09/17
GaN
MOCVD
Defects
V-Pits
raman-scattering
quantum-wells
nitrides
Chemistry
Science & Technology - Other Topics
Materials Science
Physics
Modulating the Surface State of SiC to Control Carrier Transport in Graphene SiC
期刊论文
OAI收割
Small, 2018, 卷号: 14, 期号: 26, 页码: 7
作者:
Jia, Y. P.
;
Sun, X. J.
;
Shi, Z. M.
;
Jiang, K.
;
Liu, H. N.
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2019/09/17
carrier transport
graphene
KPFM
surface states
scale epitaxial graphene
transistors
face
frequency
charge
air
Chemistry
Science & Technology - Other Topics
Materials Science
Physics
Defect evolution in AlN templates on PVD-AlN-sapphire substrates by thermal annealing
期刊论文
OAI收割
Crystengcomm, 2018, 卷号: 20, 期号: 32, 页码: 4623-4629
作者:
Ben, J. W.
;
Sun, X. J.
;
Jia, Y. P.
;
Jiang, K.
;
Shi, Z. M.
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2019/09/17
light-emitting-diodes
high-quality aln
growth
temperature
sapphire
algan
efficiency
ratio
Chemistry
Crystallography