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发表日期
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发表日期:2019
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Heavy ion irradiation induced hard error in MTJ of the MRAM memory array
期刊论文
OAI收割
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 100, 页码: 7
作者:
Zhao, P. X.
;
Liu, T. Q.
;
Cai, C.
;
Li, D. Q.
;
Ji, Q. G.
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提交时间:2022/01/19
MTJ damage
Heavy ion
Displacement damage
Hard bit error
Annealing effect