机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2011 [1]
• 2010 [1]

学科主题

• 光电子学 [2]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Improved performance of UV-LED by p-AlGaN with graded composition 期刊论文  OAI收割 physica status solidi(c) current topics in solid state physics, Physica Status Solidi(C) Current Topics in Solid State Physics, 2011, 2011, 卷号: 8, 8, 期号: 2, 页码: 461-463, 461-463 作者:  Yan, Jianchang;  Wang, Junxi;  Cong, Peipei;  Sun, Lili;  Liu, Naixin   |  收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2012/06/14 Atomic force microscopy  Diffraction  Electroluminescence  Gallium  Metallorganic chemical vapor deposition  Organic chemicals  Organic light emitting diodes(OLED)  Organometallics  Structure(composition)  Ultraviolet radiation  X ray diffraction  Atomic Force Microscopy  Diffraction  Electroluminescence  Gallium  Metallorganic Chemical Vapor Deposition  Organic Chemicals  Organic Light Emitting Diodes(Oled)  Organometallics  Structure(Composition)  Ultraviolet Radiation  x Ray Diffraction   Effects of GaN Capping on the Structural and the Optical Properties of InN Nanostructures Grown by Using MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of the korean physical society, 2010, 卷号: 57, 期号: 1, 页码: 128-132 Sun YP (Sun Yuanping); Sun Y (Sun Yuanping); Cho YH (Cho Yong-Hoon); Wang H (Wang Hui); Wang LL (Wang Lili); Zhang SM (Zhang Shuming); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：513/2  |  提交时间：2010/08/17 InN  Burstein-Moss effect  Quantum confinement effect  Activation energy  FUNDAMENTAL-BAND GAP  WELL STRUCTURES  EMISSION  SINGLE