机构

• 半导体研究所 [50]
• 物理研究所 [2]
• 上海应用物理研究所 [1]
• 上海光学精密机械研究... [1]

采集方式

• OAI收割 [53]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [51]
• 会议论文 [3]

发表日期

• 2015 [1]
• 2011 [4]
• 2010 [3]
• 2009 [2]
• 2008 [4]
• 2007 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [41]
• 光电子学 [8]
• 光学材料;晶体 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共54条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Phase-change properties of GeSbTe thin films deposited by plasma-enchanced atomic layer depositon 期刊论文  OAI收割 NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2015, 卷号: 10, 页码: 1—5 作者:  Song, SN;  Yao, DN;  Song, ZT;  Gao, LN;  Zhang, ZH 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/12/09 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117 作者:  Jia CH;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：118/2  |  提交时间：2011/07/05 Anisotropy  Crystal morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  a-Plane InN  INDIUM NITRIDE  MOVPE GROWTH  CUBIC INN  SAPPHIRE  GAN  MBE   The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar ZnMgO by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42 作者:  Song HP;  Shi K;  Sang L;  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：57/3  |  提交时间：2011/07/05 Metal organic chemical vapor deposition  Sapphire  Zinc compounds  Semiconducting II-VI materials  VAPOR-PHASE EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  ZNO NANORODS  RAMAN-SCATTERING  M-PLANE  FILMS  PHOTOLUMINESCENCE  DEPOSITION  NANOWIRES  FIELDS   Wurtzite to zincblende transition of InN films on(011) SrTiO3 by decreasing trimethylindium flows 期刊论文  OAI收割 applied physics a: materials science and processing, 2011, 页码: 1-5 Jia, C.H.; Chen, Y.H.; Zhang, B.; Liu, X.L.; Yang, S.Y.; Zhang, W.F.; Wang, Z.G. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/06/14 Absorption  Absorption spectroscopy  Crystal atomic structure  Epitaxial growth  Metallorganic chemical vapor deposition  Optical properties  Organic chemicals  Strontium alloys  Strontium titanates  X ray diffraction  Zinc sulfide   Improved performance of UV-LED by p-AlGaN with graded composition 期刊论文  OAI收割 physica status solidi(c) current topics in solid state physics, Physica Status Solidi(C) Current Topics in Solid State Physics, 2011, 2011, 卷号: 8, 8, 期号: 2, 页码: 461-463, 461-463 作者:  Yan, Jianchang;  Wang, Junxi;  Cong, Peipei;  Sun, Lili;  Liu, Naixin   |  收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2012/06/14 Atomic force microscopy  Diffraction  Electroluminescence  Gallium  Metallorganic chemical vapor deposition  Organic chemicals  Organic light emitting diodes(OLED)  Organometallics  Structure(composition)  Ultraviolet radiation  X ray diffraction  Atomic Force Microscopy  Diffraction  Electroluminescence  Gallium  Metallorganic Chemical Vapor Deposition  Organic Chemicals  Organic Light Emitting Diodes(Oled)  Organometallics  Structure(Composition)  Ultraviolet Radiation  x Ray Diffraction   Structural and optical properties of Al1-xInxN epilayers on GaN template grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 2, 页码: art. no. 026804 Lu GJ (Lu Guo-Jun); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Wang YT (Wang Yu-Tian); Zhao DG (Zhao De-Gang); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：109/2  |  提交时间：2010/04/22 metalorganic chemical vapor deposition  Al1-xInxN  gradual variation in composition  optical reflectance spectra  X-RAY-DIFFRACTION  PHASE EPITAXY  RELAXATION  FILMS  HETEROSTRUCTURES  SEPARATION  DYNAMICS  ALLOYS  REGION  LAYERS   Investigation on the strain relaxation of InGaN layer and its effects on the InGaN structural and optical properties 期刊论文  OAI收割 physica b-condensed matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 22, 页码: 4668-4672 Wang H (Wang H.); Jiang DS (Jiang D. S.); Jahn U (Jahn U.); Zhu JJ (Zhu J. J.); Zhao DG (Zhao D. G.); Liu ZS (Liu Z. S.); Zhang SM (Zhang S. M.); Qiu YX (Qiu Y. X.); Yang H (Yang H.) 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/12/12 InGaN  Dislocation  Metalorganic chemical vapor deposition  High resolution X-ray diffraction  Cathodoluminescence  MISFIT DISLOCATIONS  QUANTUM-WELLS  BAND-GAP  EPILAYERS  GENERATION  ALLOYS  INN   Cathodoluminescence study on in composition inhomogeneity of thick InGaN layer 期刊论文  OAI收割 thin solid films, 2010, 卷号: 518, 期号: 17, 页码: 5028-5031 Wang H (Wang H.); Jiang DS (Jiang D. S.); Jahn U (Jahn U.); Zhu JJ (Zhu J. J.); Zhao DG (Zhao D. G.); Liu ZS (Liu Z. S.); Zhang SM (Zhang S. M.); Yang H (Yang H.) 收藏  |  浏览/下载：60/2  |  提交时间：2010/08/17 Gallium Nitride  Indium Gallium Nitride  Cathodeluminescence  X-ray Diffraction  Metal-Organic Chemical Vapor Deposition   Annealing behaviors of long-wavelength InAs/GaAs quantum dots with different growth procedures by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 8, 页码: 2281-2284 作者:  Ye XL;  Liang S 收藏  |  浏览/下载：32/4  |  提交时间：2010/03/08 Photoluminescence  Metalorganic vapor phase epitaxy  Self-assembled quantum dots  Indium arsenide   Synthesis and characterization of well-aligned Zn1-xMgxO nanorods and film by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 2, 页码: 278-281 作者:  Song HP;  Jiao CM;  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：198/82  |  提交时间：2010/03/08 Nanostructures  Metalorganic chemical vapor deposition  Zinc compounds  Semiconducting II-VI materials