机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2012 [1]
• 2010 [2]
• 2008 [1]

学科主题

• 半导体材料 [4]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Multimode interference coupler based photonic analog-to-digital conversion scheme 期刊论文  OAI收割 optics letters, 2012, 卷号: 37, 期号: 17, 页码: 3699-3701 Wei SL (Wei Shile); Wu J (Wu Jian); Zhao LJ (Zhao Lingjuan); Yao C (Yao Chen); Ji C (Ji Chen); Lu D (Lu Dan); Zhang XL (Zhang Xilin); Yin ZS (Yin Zuoshan) 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/04/02 Fermi-Level Pinning at Metal/High-k Interface Influenced by Electron State Density of Metal Gate 期刊论文  OAI收割 ieee electron device letters, 2010, 卷号: 31, 期号: 10, 页码: 1101-1103 Yang ZC (Yang Z. C.); Huang AP (Huang A. P.); Zheng XH (Zheng X. H.); Xiao ZS (Xiao Z. S.); Liu XY (Liu X. Y.); Zhang XW (Zhang X. W.); Chu PK (Chu Paul K.); Wang WW (Wang W. W.) 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2010/11/14 Electron state density  Fermi-level pinning (FLP)  MIS structures  work function (WF)  WORK FUNCTION   Origin of flat-band voltage sharp roll-off in metal gate/high-k/ultrathin- SiO2/Si p-channel metal-oxide-semiconductor stacks 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 13, 页码: art. no. 132908 Zheng XH (Zheng X. H.); Huang AP (Huang A. P.); Xiao ZS (Xiao Z. S.); Yang ZC (Yang Z. C.); Wang M (Wang M.); Zhang XW (Zhang X. W.); Wang WW (Wang W. W.); Chu PK (Chu Paul K.) 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/14 OXYGEN  GATE  DIFFUSION  FILMS   Al composition variations in AlGaN films grown on low-temperature GaN buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5266-5269 作者:  Yang H;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Yang H;  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：182/43  |  提交时间：2010/03/08 Cathodoluminescence  MOCVD  AlGaN