机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2012 [1]
• 2010 [1]
• 1990 [1]
• 1989 [1]

学科主题

• 半导体物理 [4]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Optimization of the GaAs-on-Si Substrate for Microelectromechanical Systems (MEMS) Sensor Application 期刊论文  OAI收割 materials, MATERIALS, 2012, 2012, 卷号: 5, 5, 期号: 12, 页码: 2917-2926, 2917-2926 作者:  Shi YB (Shi, Yunbo);  Guo H (Guo, Hao);  Ni HQ (Ni, Haiqiao);  Xue CY (Xue, Chenyang);  Niu ZC (Niu, Zhichuan)   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/03/26 Photovoltaic effect of tin disulfide with nanocrystalline/amorphous blended phases 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 2010, 卷号: 150, 期号: 1-2, 页码: 58-61 Tan FR (Tan Furui); Qu SC (Qu Shengchun); Zeng XB (Zeng Xiangbo); Zhang CS (Zhang Changsha); Shi MJ (Shi Mingji); Wang ZJ (Wang Zhijie); Jin L (Jin Lan); Bi Y (Bi Yu); Cao J (Cao Jie); Wang ZG (Wang, Zhanguo); Hou YB (Hou Yanbing); Teng F (Teng Feng); Feng ZH (Feng, Zhihui) 收藏  |  浏览/下载：180/45  |  提交时间：2010/03/08 Nanocrystalline   COMMENT ON NEGATIVE-U PROPERTY OF THE DX CENTER IN ALXGA1-XAS-SI - REPLY 期刊论文  OAI收割 physical review b, 1990, 卷号: 42, 期号: 15, 页码: 9711-9712 LI MF; YU PY; JIA YB; ZHOU J; GAO JL 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/15 NEGATIVE-U PROPERTY OF THE DX CENTER IN ALXGA1-XAS-SI 期刊论文  OAI收割 physical review b, 1989, 卷号: 40, 期号: 2, 页码: 1430-1433 LI MF; JIA YB; YU PY; ZHOU J; GAO JL 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15