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机构
高能物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2009 [1]
学科主题
Crystallog... [1]
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共1条,第1-1条
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学科主题:Crystallography
专题:高能物理研究所
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Basal plane bending of 6H-SiC single crystals observed by synchrotron radiation X-ray topography
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF APPLIED CRYSTALLOGRAPHY, 2009, 卷号: 42, 页码: 1068-1072
作者:
Ning, LN
;
Hu, XB
;
Huang WX(黄万霞)
;
Yuan QX(袁清习)
;
Wang, YM
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提交时间:2016/06/29