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半导体研究所 [16]
苏州纳米技术与纳米仿... [1]
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OAI收割 [19]
内容类型
学位论文 [12]
专利 [5]
期刊论文 [2]
发表日期
2023 [1]
2021 [1]
2020 [1]
2018 [2]
2017 [1]
2014 [1]
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学科主题
半导体材料 [5]
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微电子学 [1]
红外探测材料与器件 [1]
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基于InAsGaSb 二类超晶格的新型红外探测器研究
学位论文
OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:
鄢绍龙
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提交时间:2023/07/03
InAsGaSb二类超晶格共振隧穿红外探测器研究
学位论文
OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
聂碧颖
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提交时间:2021/06/11
基于InAs/GaSb二类超晶格结构的多光子吸收以及雪崩光电探测器的研究
学位论文
OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
赵成城
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提交时间:2020/08/05
反转型InAs/GaSb量子阱结构电子迁移率及异质结红外光电晶体管研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
黄文军
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提交时间:2018/05/28
Inas/gasb二类超晶格
反转型量子阱结构
电子迁移率
异质结光电晶体管
双色
基于掺杂半导体表面等离激元效应的T2SL红外探测器设计研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
王少华
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提交时间:2018/05/31
掺杂半导体
表面等离激元
二类超晶格
红外探测器
平面结构的锑化物二类超晶格红外探测器及其制备方法
专利
OAI收割
专利号: 201510615752.3, 申请日期: 2017-10-24,
作者:
黄勇;熊敏
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提交时间:2018/02/28
未钝化的中波InAs/GaSb二类超晶格红外光电探测器暗 电流机制的研究
学位论文
OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
李琼
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提交时间:2014/06/05
InAs/GaSb二类超晶格
红外探测器
暗电流
中波
分子束外延生长的 InAs/GaSb 二类超晶格材料的电学性质研究
学位论文
OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
郭晓璐
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提交时间:2013/06/24
半导体纳米线和二类超晶格的电子结构和光学性质研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京, 北京: 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院, 2013, 2013
作者:
郎晓丽
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2013/06/20
III-V族化合物半导体微结构红外探测器研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
金巨鹏
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提交时间:2012/09/11
Gaas/algaas
量子阱红外探测器
Inas/gasb
二类超晶格
焦平面