机构

• 上海微系统与信息技术... [2]
• 西安光学精密机械研究... [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [2]
• 专利 [1]

发表日期

• 2013 [1]
• 2012 [1]
• 2011 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 一种高质量应变的Ge/SiGe超晶格结构及其制备方法 专利  OAI收割 专利号: CN102162137B, 申请日期: 2013-05-29, 公开日期: 2013-05-29 作者:  刘学超;  杨建华;  施尔畏   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 SiGe薄膜的RPCVD负载影响及特性研究 期刊论文  OAI收割 材料导报, 2012, 期号: 14, 页码: 22-24+32 陈达; 刘林杰; 薛忠营; 刘肃; 贾晓云 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/02/22 薄膜  减压化学气相沉积  硅锗  负载影响   体硅上外延超薄Si1-xGex用于制备SGOI材料 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2011, 期号: 02 薛忠营; 张波; 魏星; 张苗 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/04/13 外延  应变  锗硅  SGOI