机构

• 半导体研究所 [57]
• 物理研究所 [6]
• 金属研究所 [2]
• 苏州纳米技术与纳米仿... [2]
• 微电子研究所 [2]
• 上海微系统与信息技术... [2]
• 更多

采集方式

• OAI收割 [49]
• iSwitch采集 [23]

内容类型

• 期刊论文 [65]
• 会议论文 [5]
• 外文期刊 [2]

发表日期

• 2018 [1]
• 2016 [2]
• 2011 [1]
• 2010 [6]
• 2009 [6]
• 2008 [10]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [28]
• 半导体物理 [5]
• Crystallog... [2]
• Physics, M... [1]
• 半导体器件 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共72条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Two-dimensional electron gas characteristics of InP-based high electron mobility transistor terahertz detector 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 4 作者:  Li, Jin-Lun;  Cui, Shao-Hui;  Xu, Jian-Xing;  Cui, Xiao-Ran;  Guo, Chun-Yan   |  收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2018/05/14 Thz Detector  High Electron Mobility Transistor  Two-dimensional Electron Gas  Inp   GaN high electron mobility transistors with AlInN back barriers 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 662 作者:  He, XG;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Chen, P 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/11 Growths of Fe-doped GaN high-resistivity buffer layers for AlGaN/GaN high electron mobility transistor devices 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 1 作者:  Wang, K;  Xing, YH;  Han, J;  Zhao, KK;  Guo, LJ 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2017/03/11 Scattering due to spacer layer thickness fluctuation on two dimensional electron gas in AlGaAs/GaAs modulation-doped heterostructures 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 2, 页码: 23705 Liu GP; Wu J; Lu YW; Li ZW; Song YF; Li CM; Yang SY; Liu XL; Zhu QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/02/06 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  INTERFACE ROUGHNESS  QUANTUM-WELLS  MOBILITY  HETEROJUNCTION  TRANSPORT  MODEL   Self-consistent analysis of alsb/inas high electron mobility transistor structures 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: 7 作者:  Li, Yanbo;  Zhang, Yang;  Zeng, Yiping 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Self-consistent analysis of AlSb/InAs high electron mobility transistor structures 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: 7 作者:  Li, Yanbo;  Zhang, Yang;  Zeng, Yiping   |  收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2021/02/02 Characterization of different-Al-content AlGaN/GaN heterostructures on sapphire 期刊论文  OAI收割 SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2010, 卷号: 53, 期号: 1, 页码: 49 Ding, GJ; Guo, LW; Xing, ZG; Chen, Y; Xu, PQ; Jia, HQ; Zhou, JM; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/09/17 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  OPTICAL-PROPERTIES  INDUCED CHARGE  POLARIZATION  GAN  EPITAXY   Growth and character stics of AlGaN/GaN HEMT structures with AlN/GaN superlattices as barrier layers 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2010, 卷号: 59, 期号: 8, 页码: 5724 Ding, GJ; Guo, LW; Xing, ZG; Chen, Y; Xu, PQ; Jia, HQ; Zhou, JM; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/09/17 2-DIMENSIONAL ELECTRON GASES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PIEZOELECTRIC POLARIZATION  ALN/ALGAN SUPERLATTICES  GA-FACE  HETEROSTRUCTURES  MOBILITY  SAPPHIRE  CHARGES   Broadening of the energy spectrum of ions accelerated by laser-driven shocks in over-dense slab plasmas 期刊论文  OAI收割 SIXTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INERTIAL FUSION SCIENCES AND APPLICATIONS, PARTS 1-4, 2010, 卷号: 244 Dong, QL; He, MQ; Sheng, ZM; Chen, M; Wang, SJ; Zhang, J 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/09/17 Self-consistent analysis of AlSb/InAs high electron mobility transistor structures 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 044504 Li YB (Li Yanbo); Zhang Y (Zhang Yang); Zeng YP (Zeng Yiping) 收藏  |  浏览/下载：212/46  |  提交时间：2010/10/11 INAS/ALSB QUANTUM-WELLS  LOW-POWER APPLICATIONS  HEMTS  MODULATION  HETEROSTRUCTURES  TECHNOLOGY  CHANNEL  VOLTAGE  MASS