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InAs/InGaAs和GaAs/AlGaAs单个量子点的自旋噪声谱研究
学位论文
OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
孙天娇
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提交时间:2021/12/17
Ambipolar transport in Ni-catalyzed InGaAs nanowire field-effect transistors for near-infrared photodetection
期刊论文
OAI收割
Nanotechnology, 2021, 卷号: 32, 期号: 14
作者:
Guo,Yanan
;
Liu,Dong
;
Miao,Chengcheng
;
Sun,Jiamin
;
Pang,Zhiyong
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2021/03/29
ambipolar transport
field-effect transistors
InGaAs nanowires
CMOS-compatible catalyst
surface state
near-infrared photodetection
Q-Switched External-Cavity Surface-Emitting Lasers
期刊论文
OAI收割
Zhongguo Jiguang/Chinese Journal of Lasers, 2021, 卷号: 48, 期号: 7
作者:
X. Zhang
;
L. Pan
;
Y. Zeng
;
Z. Zhang
;
H. Yang
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提交时间:2022/06/13
UV-Vis-NIR broadband response of GaAs-based photocathode with multilayer graded-band cascade structure
期刊论文
OAI收割
Superlattices and Microstructures, 2021, 卷号: 156, 页码: 11
作者:
Z. H. Wang
;
Y. J. Zhang
;
Y. S. Qian
;
S. M. Li
;
K. M. Zhang
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提交时间:2022/06/13
Effect of Substrate Misorientation on the Structural and Optical Characteristics of In-Rich InGaAs/GaAsP Quantum Wells
期刊论文
OAI收割
Applied Sciences-Basel, 2021, 卷号: 11, 期号: 18, 页码: 15
作者:
Z. W. Li
;
Y. G. Zeng
;
Y. Song
;
J. W. Zhang
;
Y. L. Zhou
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提交时间:2022/06/13
稀氮(Ga(In)AsN)材料的位移损伤效应研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
雷琪琪
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提交时间:2020/11/19
稀氮
Ga(In)AsN材料
光致发光
辐射损伤效应
退火
1.3 μm p-Modulation Doped InGaAs/GaAs Quantum Dot Lasers with High Speed Direct Modulation Rate and Strong Optical Feedback Resistance
期刊论文
OAI收割
CRYSTALS, 2020, 卷号: 10, 期号: 11, 页码: 980
作者:
Xia-Yida MaXueer
;
Yi-Ming He
;
Zun-Ren Lv
;
Zhong-Kai Zhang
;
Hong-Yu Chai
;
Dan Lu
;
Xiao-Guang Yang
;
Tao Yang
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提交时间:2021/05/24
Experimental investigation of spontaneous emission characteristics of InGaAs-based indium-rich cluster-induced special quantum structure
期刊论文
OAI收割
Chinese Optics Letters, 2020, 卷号: 18, 期号: 5, 页码: 5
作者:
M. Zheng,Q. N. Yu,H. X. Tai,J. W. Zhang,Y. Q. Ning and J. Wu
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提交时间:2021/07/06
一种垂直腔面发射激光器及光谱检测仪
专利
OAI收割
专利号: CN110247303A, 申请日期: 2019-09-17, 公开日期: 2019-09-17
作者:
张星
;
周寅利
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提交时间:2019/12/30
InGaAs单结太阳电池辐射效应机理研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:
慎小宝
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提交时间:2019/07/15
In0.53Ga0.47As单结太阳电池
高注量电子
低能质子
位移损伤
退火效应