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机构
半导体研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [2]
iSwitch采集 [1]
内容类型
期刊论文 [2]
会议论文 [1]
发表日期
2001 [3]
学科主题
半导体材料 [1]
半导体物理 [1]
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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Optical transitions and type-ii band lineup of mbe-grown ganas/gaas single-quantum-well structures
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 页码: 501-505
作者:
Sun, BQ
;
Jiang, DS
;
Pan, Z
;
Li, LH
;
Wu, RH
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/05/12
Molecular beam epitaxy
Quantum wells
Semiconducting iiiv materials
Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 501-505
作者:
Jiang DS
收藏
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浏览/下载:147/24
  |  
提交时间:2010/08/12
molecular beam epitaxy
quantum wells
semiconducting IIIV materials
LUMINESCENCE
GAASN
Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures
会议论文
OAI收割
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
作者:
Jiang DS
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/15
molecular beam epitaxy
quantum wells
semiconducting IIIV materials
LUMINESCENCE
GAASN