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浏览/检索结果: 共3条,第1-3条 帮助

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モジュール式ダイオード源を有する高出力レーザシステム 专利  OAI收割
专利号: JP2019525475A, 申请日期: 2019-09-05, 公开日期: 2019-09-05
作者:  
タエバティ, パービッツ
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半導体をその基板から分離する方法 专利  OAI收割
专利号: JP2009270200A, 申请日期: 2009-11-19, 公开日期: 2009-11-19
作者:  
リン ウェンユィ;  ホアン シウチョン;  トゥ ポーミン;  スゥ チウポン;  チャン シウスーウン
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個々の光学および電流ガイドを持つ垂直空胴表面発光レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1999243257A, 申请日期: 1999-09-07, 公开日期: 1999-09-07
作者:  
レオ マリア チロヴスキー;  ルシアン アーサー デーアサロ;  ウィリアム スコット ホブソン;  サングー パーク フイ;  ロナルド ユージェン リーベングス
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