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氮化物半导体基板及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN1877877A, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2006-12-13
作者:  
上松康二;  佐藤史隆;  弘田龙;  中畑成二;  中幡英章
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