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其上具有半导体器件的单晶氧化物的生长方法 专利  OAI收割
专利号: CN100359648C, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2008-01-02
作者:  
李浩;  拉温德拉纳特・德罗帕德;  丹・S・马歇尔;  魏义;  小・M・胡
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