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Opening of Band Gap of Graphene with High Electronic Mobility by Codoping BN Pairs
期刊论文
OAI收割
高等学校化学研究:英文版, 2019, 卷号: 35.0, 期号: 006, 页码: 1058-1061
作者:
REN Xiangyang
;
XIA Sha
;
ZHANG Zhiguo
;
MENG Xing
;
YU Hongmei
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提交时间:2021/02/02
First-principle
calculation
Doping
Optoeletronic
property
Mobility
花岗片麻岩峰前围压卸荷条件下力学特性的实验研究
期刊论文
OAI收割
水文地质工程地质, 2011, 卷号: 38, 期号: 3, 页码: 54-58
作者:
范永波
;
伍法权
;
和海芳
;
任爱武
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提交时间:2012/04/01
花岗片麻岩
峰前卸围压
力学参数
Unloading deformation during layered excavation for the underground powerhouse of Jinping I Hydropower Station, southwest China
期刊论文
OAI收割
Bulletin of Engineering Geology and the Environment, 2010, 卷号: 69, 页码: 343-351
作者:
Faquan Wu, Xiuhong Hu, Manfu Gong, Jianyou Liu, Aiwu Ren
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提交时间:2016/12/08
基于GSI的锦屏地下厂房岩体参数研究
期刊论文
OAI收割
工程地质学报, 2010, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 956-962
作者:
范永波
;
任爱武
;
熊峥
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提交时间:2010/05/03
岩体力学参数
GSI
高地应力
锦屏
地下厂房
锦屏一级水电站高应力大断面地下洞室稳定性分析
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
任爱武
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提交时间:2017/03/10
双极晶体管不同温度的退火效应与机理
期刊论文
OAI收割
核电子学与探测技术, 2007, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 150-153
作者:
汪东
;
陆妩
;
任迪远
;
李爱武
;
匡治兵
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提交时间:2012/11/29
双极晶体管
退火效应
界面态
总剂量辐照前后CMOS器件阈电压变化的统计分析
期刊论文
OAI收割
核技术, 2006, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 665-669
作者:
李爱武
;
余学峰
;
任迪远
;
汪东
;
匡治兵
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提交时间:2012/11/29
互补型金属-氧化物-半导体(CMOS)器件
总剂量辐照
阈电压
统计
CMOS器件预辐照筛选可行性及方法研究
期刊论文
OAI收割
核电子学与探测技术, 2006, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 470-473,495
作者:
李爱武
;
余学峰
;
任迪远
;
汪东
;
匡治兵
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提交时间:2012/11/29
CMOS
预辐照
筛选
退火
80C31单片机电路总剂量效应研究
期刊论文
OAI收割
微电子学, 2005, 卷号: 35, 期号: 6, 页码: 584-586,590
作者:
匡治兵
;
郭旗
;
任迪远
;
李爱武
;
汪东
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提交时间:2012/11/29
单片机
60Coγ辐照
辐射损伤
退火
10TeVγ射线的星系际红外背景光子吸收现象的研究
期刊论文
OAI收割
高能物理与核物理, 2000, 期号: 8, 页码: 697-701
作者:
许贤武
;
丁林恺
;
曹培圆
;
戴本忠
;
冯振勇
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提交时间:2015/12/15
宇宙射线
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